富士経済グループマーケットシェアデータ

CMP装置は、ウェーハ表面にCMPパッドを押し付け、そこにCMPスラリーを流す事で、薬液による化学的な作用と研磨粒子や研磨圧等の物理的な採用によって、ウェーハ表面の研磨・平坦化を行う装置である。本項では、パワーデバイス向けとして新規に販売された装置を対象とし、中古装置等は対象外とする。CMP装置市･･･

１．市場規模（前年比）
２．市場予測
３．市場動向（販売実績・前年比）
４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価

封止材料は、半導体素子を外的環境から保護する目的で使用されており、パワーデバイス向けにおいては、ディスクリートや一部のモジュールではエポキシ樹脂、パワーモジュール等の高耐圧のパワーモジュールではシリコーンが使用されている。又、耐熱性等を向上させる為にパワーモジュールで液状エポキシ樹脂の採用も進んで･･･

１．市場規模（前年比）
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３．市場動向（販売実績・前年比）
４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価

モールディング装置は、ワイヤボンディング後の半導体をエポキシ系樹脂等でモールド形成する装置であり、半導体素子やボンディングワイヤ等を応力や温度等の外的環境から保護する事が可能である。本項では、パワーデバイスの後工程で使用されるモールディング装置を対象とする。2023年は、前年迄続いた大幅な需要拡大･･･

１．市場規模（前年比）
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４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
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８．市場指標／評価

ワイヤボンダは、半導体素子とリードフレーム等を金属線で接続する装置であり、金、銅、アルミが使用される。当該装置は、金属線を使用するボールボンダとアルミ等を使用するウェッジボンダに分類される。パワーデバイス製造ではウェッジボンダが採用される。本項では、ウェッジボンダを対象とする。当該市場は、主要パワ･･･

１．市場規模（前年比）
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３．市場動向（販売実績・前年比）
４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価

ダイボンダは、ダイシング後の半導体素子から良品を選択・ピックアップし、リードフレーム等に半導体素子を載せる装置である。デバイスの種類によってIC・LSI用、ディスクリート用、パワーデバイス用、LED用の装置がある。本項では、パワーデバイス用装置を対象とする。2023年は、前年迄の積極導入の反動や、･･･

１．市場規模（前年比）
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８．市場指標／評価

露光装置は、コータ/デベロッパで半導体レジストを塗布したウェーハ上に紫外線等の光照射、露光を行い、回路パターンを形成する装置である。本項では、パワーデバイス製造向けの露光装置のうち、新規導入された装置を対象とし、中古装置や既存の製造ラインから転用した装置は対象外とする。又、パワーデバイスの露光工程･･･

１．市場規模（前年比）
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８．市場指標／評価

コータ/デベロッパは、写真と同様の技術を利用したフォトリソグラフィー工程において、半導体レジストの塗布と現像を行う装置である。本項では、パワーデバイス向けに新規導入された装置を対象とし、中古装置等は対象外とする。当該装置は、従来、中古装置の使用が基本であったが、ウェーハの大口径化や厚膜工程の高度化･･･

１．市場規模（前年比）
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本項では、定電圧ダイオード(ツェナーダイオード)や1Aに満たない小信号デバイス(1A未満)を除いた整流ダイオードを対象とする。当該製品は、整流作用を持つ基本的なパワーデバイスであり、主に商用電源を交流から直流に整流する用途で採用される。又、高耐圧であり、電源の保護用として逆電流防止用途で採用されて･･･

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放熱グリースは、シリコーン等の有機液体に無機系の熱伝導フィラーを充填したオイルコンパウンドである。当該製品は、車載ECU、LEDを始めとする様々なアプリケーションで採用されている。本項では、IGBTモジュール向けに使用される放熱グリースを対象とする。当該市場は、IGBTモジュールの市場動向と連動し･･･

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放熱シートは、シリコーン樹脂等の有機系バインダに熱伝導性フィラーを充填する事で放熱機能を付加した材料である。本項では、パワーデバイス向けに使用される放熱シートを対象とし、CPUやLED等で使用するものは対象外とする。当該市場は、IGBTモジュール市場と連動している。2023年は、IGBTモジュール･･･

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金属放熱基板は、アルミ等の金属基板上に絶縁層、回路パターンを形成した基板で、パワーデバイスやLED照明等で採用される。本項では、パワーデバイス向けに展開されている金属放熱基板を対象とする。2023年は、自動車・電装分野は需要が増加したが、民生機器分野と産業分野が停滞した為、市場は大きな伸びがみられ･･･

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封止材料は、半導体素子を外的要因から保護する目的で使用されており、パワーデバイス向けにおいては、ディスクリートや一部のモジュールではエポキシ樹脂、パワーモジュール等の高耐圧のパワーモジュールではシリコーンが使用されている。又、耐熱性等を向上させる為にパワーモジュールで液状エポキシ樹脂の採用も進んで･･･

１．市場規模（前年比）
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当該製品は、銀粒子を主な材料とし、メーカーによってナノ銀、ナノ・マイクロ銀、マイクロ銀が使用されている。本項では、銀粒子のみを使用し、接合時に加圧が必要なものを加圧タイプ、加圧を必要としないものを無加圧タイプ、マイクロ銀とダイボンディングペースト等を混ぜたものをハイブリッドタイプとして対象とする。･･･

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はんだは、半導体素子をリードフレーム等に接合する際に使用する金属材料であり、工程によって棒はんだ、クリームはんだ、プリフォーム等形状の異なる材料が使い分けられる。本項では、パワーデバイスの素子接合等で使用されるはんだを対象とする。当該市場は、パワーデバイスの市場動向と連動している。2023年は、民･･･

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ダイボンディングペーストは、リードフレームやセラミック基板等に半導体素子を接合する際に使用され、パワーデバイスの様な導電性が必要となる場合は銀が採用される。本項では、パワーデバイス用途で使用される銀ペーストを対象とする。パワーデバイスでは、素子接合にはんだが使用されているが、一部のパワーデバイスメ･･･

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CMPスラリーは、CMP工程で使用する研磨液であり、CMPパッドとウェーハの間にスラリーを充填し、ウェーハを回転させる事で表面の平坦化を行う。本項では、パワーデバイス製造のCMP工程で使用されるCMPスラリーを対象とする。当該市場は、CMPパッドと同様の市場推移となっており、2023年の市場は前年･･･

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CMPパッドは、メタルや酸化膜を研磨する際にCMPスラリーと合わせて使用する研磨布である。主に硬質発泡タイプがウェーハ表面の研磨に用いられる。本項では、パワーデバイスの製造工程で使用されるCMPパッドを対象とする。当該市場は、パワーデバイス市場に比例している。2023年は、パワーデバイス市場の需要･･･

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半導体レジストは、ウェーハ上に回路形成を行うフォトリソグラフィー工程で用いられる感光性材料である。パワーデバイスの回路形成は、メモリ等の先端系デバイスの様な微細加工を必要としない為、イメージセンサ等で採用されている。本項では、パワーデバイス製造で使用されるi線レジストを対象とする。2023年は、パ･･･

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本項では、パワーデバイス向けに外販されるSiCウェーハ(ベアウェーハ)を対象とする。当該製品は、シリコンウェーハの8倍以上の絶縁破壊電界強度を有している事に加えて、熱伝導性や電力変換効率等の性能面でも、シリコンウェーハの特性を上回っている。当該市場は、SiCパワーデバイスの需要が活況である事を背景･･･

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本項では、GaN(窒化ガリウム)結晶上に素子を形成したデバイス、又パワーデバイスや駆動IC等を同梱したSiP(System in Package)を対象とし、基地局等の通信領域で採用されているGaN RFデバイスは対象外とする。当該製品は、高速スイッチングが可能である為、電源回路の小型化が実現でき･･･

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本項では、SiCウェーハ上にMOSFETを形成したチップを搭載したディスクリート製品を対象とする。Si-MOSFETと比較すると、耐圧が高く、低オン抵抗、高速スイッチングが可能である。IGBTと比較すると、優れた物性により伝導度変調の必要がない為、テール電流が発生せず、低損失なスイッチングが可能で･･･

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本項では、SiCウェーハ上にSBDを形成したパワーデバイスを対象とする。ディスクリートパッケージとして販売されているものを対象とし、IGBTと組み合わせたハイブリッド型モジュールに供給されるSiC-SBDの素子は対象外とする。Si-SBDは、逆電流が大きい為耐圧が200V以下であるが、SiCを採用･･･

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サイリスタ・トライアックとは、正端子(アノード)、負端子(カソード)に制御端子(ゲート)を付加したパワーデバイスであり、制御端子に電圧を印加する事により電流を制御するディスクリート製品を対象とする。尚、モジュール品は対象外とする。当該製品は、過電流容量が大きい為、大電流下のスイッチングや保護回路内･･･

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当該デバイスは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとも呼ばれ、入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラ構造のパワーデバイスであり、ディスクリート製品を対象とする。尚、IGBTモジュールは対象外とする。2023年は、巣ごもり需要の減退により民生機器分野が減少した他、中国経済の停滞により産業分野の･･･

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本項では、電界効果トランジスタ(FET)に金属酸化膜半導体(MOS)を組み合わせたパワーデバイスのうち、耐圧が200V以上のパワーMOSFETを対象とし、耐圧が200V未満のパワーMOSFETは対象外とする。当該製品は、600V耐圧の製品が中心であり、従来型のプレーナ型と、オン抵抗を下げながら耐圧･･･

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本項では、電界効果トランジスタ(FET)に金属酸化膜半導体(MOS)を組み合わせたパワーデバイスのうち、耐圧が200V未満のパワーMOSFETを対象とする。尚、耐圧が200V以上のパワーMOSFETは対象外とする。2023年は、民生機器分野での巣ごもり需要の減退、先行発注をしていたユーザが在庫調整･･･

１．市場規模（前年比）
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本項では、接合型のトランジスタを対象とし、ユニポーラトランジスタは対象外とする。当該製品は、スイッチング用途や高い増幅率がある為電流や信号の増幅用途、リニアレギュレータ用途で採用されている。当該市場は、民生機器分野の実績が大きく、2023年は巣ごもり需要が減退した為、市場は縮小した。2023年の世･･･

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本項では、逆回復特性を向上させたPN接合ダイオードを対象とする。整流ダイオードと比較すると、逆回復時間(trr)が小さくなっており、数十kHzや数百kHz等の高周波を整流する事が可能である。2023年は、民生機器分野、産業分野の需要の落ち込みにより、市場は縮小した。2023年の世界市場は、数量で1･･･

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本項では、金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードを対象とし、小信号デバイス(1A未満)は対象外とする。2023年は、中国の景気停滞により、民生機器分野、情報通信機器分野の需要が落ち込んだ為、市場は縮小した。2023年の世界市場は、数量で220億個（前年比93.0％）･･･

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封止材料は、半導体素子を外的環境から保護する目的で使用されており、パワーデバイスではディスクリートやモジュールの一部でエポキシ系樹脂、パワーモジュール等の高耐圧のパワーデバイスでは、シリコーン系封止材料が使用されている。本項では、パワーデバイス向けに使用されるシリコーン系封止材料を対象とする。当該･･･

１．市場規模（前年比）
２．市場予測
３．市場動向（販売実績・前年比）
４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
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８．市場指標／評価

モールディング装置は、ワイヤボンディング後の半導体をエポキシ系樹脂等でモールド成形する装置であり、半導体素子やボンディングワイヤ等を応力や温度等の外的環境から保護する事が可能となる。本項では、パワーデバイスの後工程で使用されるモールディング装置を対象とする。2021年は、中国や東南アジアで需要が増･･･

１．市場規模（前年比）
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３．市場動向（販売実績・前年比）
４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
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７．市場展望
８．市場指標／評価

ワイヤボンダは、半導体チップとリードフレーム等を金属線で接続する装置であり、金、銀、アルミが使用される。当該装置は、金線を使用するボールボンダとアルミ等を使用するウェッジボンダに分類されるが、パワーデバイス製造ではウェッジボンダが使用される。本項ではウェッジボンダを対象とする。2021年は、設備投･･･

１．市場規模（前年比）
２．市場予測
３．市場動向（販売実績・前年比）
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５．市場概要
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ダイボンダは、ダイシング後の半導体素子から良品を選択・ピックアップし、リードフレーム等に半導体素子を載せる装置である。デバイスの種類によってIC・LSI用、ディスクリート用、パワーデバイス用、LED用等異なる装置がある。本項では、パワーデバイス用装置を対象とする。2021年は、中国を中心に需要が大･･･

１．市場規模（前年比）
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露光装置は、コータ/デベロッパで半導体レジストを塗布したウェーハ上に紫外線等の光放射、露光を行い、回路パターンを形成する装置である。本項では、パワーデバイス製造で使用されるi線露光装置を対象とし、中古装置や既存の製造ラインから転用した装置は対象外とする。当該市場は、海外を中心に採用実績がみられ、主･･･

１．市場規模（前年比）
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５．市場概要
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８．市場指標／評価

コータ/デベロッパは、フォトリソグラフィー工程において、フォトレジストの塗布と現像を行う装置である。本項では、パワーデバイス向けに新規導入された装置を対象とし、中古装置等は対象外とする。パワーデバイスの製造で使用されるコータ/デベロッパは、主に中古装置が採用されているが、ウェーハの大口径化や厚膜ニ･･･

１．市場規模（前年比）
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４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
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８．市場指標／評価

CMP装置は、ウェーハ表面にCMPパッドを押し付け、そこにCMPスラリーを流す事で、薬液による化学的な作用と研磨粒子や研磨圧等の物理的な作用によって、ウェーハ表面の研磨・平坦化を行う装置である。本項では、パワーデバイス向けに新規導入された装置を対象とし、中古装置等は対象外とする。当該装置は、ウェー･･･

１．市場規模（前年比）
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放熱グリースは、シリコーン等の有機液体に無機系の熱伝導フィラーを充填したオイルコンパウンドである。当該製品は、車載用ECU、LEDを始めとする様々なアプリケーションで採用されている。本項では、IGBTモジュール向けに使用される放熱グリースを対象とする。当該市場は、IGBTモジュールの市場動向に比例･･･

１．市場規模（前年比）
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放熱シートは、シリコーン樹脂等の有機系バインダに熱伝導性フィラーを充填する事で放熱機能を付加した材料である。本項では、パワーデバイス向けに使用される放熱シートを対象とし、CPUやLED等で使用されるものは対象外とする。当該製品は、IGBTモジュール等で採用されており、2021年は自動車・電装分野や･･･

１．市場規模（前年比）
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金属放熱基板は、アルミ等の金属基板上に絶縁層、回路パターンを形成した基板で、パワーデバイスやLED照明等で採用される。本項では、パワーデバイス向けに展開されている金属放熱基板を対象とする。当該製品は、民生機器分野、自動車・電装分野、産業分野で採用されているが、自動車・電装分野の実績が最も大きく、市･･･

１．市場規模（前年比）
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５．市場概要
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封止材料は、半導体素子を外的環境から保護する目的で使用されており、パワーデバイスではディスクリートやモジュールの一部でエポキシ系樹脂、パワーモジュール等の高耐圧のパワーデバイスでは、シリコーン系封止材料が使用される。本項では、パワーデバイス向けに使用されるエポキシ系封止材料を対象とする。当該市場は･･･

１．市場規模（前年比）
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３．市場動向（販売実績・前年比）
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リードフレームは、半導体素子とボンディングワイヤを接続する際に、半導体素子の台座となる金属板である。本項では、条材メーカーがパワーデバイス向けに提供している材料を対象とする。当該市場は、パワーデバイス市場に比例する形で推移している。2021年は、前年後半から自動車・電装分野の需要が急激に回復してい･･･

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シンタリング接合材は、銀粒子を主な材料とし、ナノ銀、ナノ・マイクロ銀、マイクロ銀が採用される。本項では、銀粒子のみを使用した接合材を加圧タイプ、マイクロ銀とダイボンディングペーストを混ぜたものを無加圧タイプとする。加圧タイプのシンタリング接合材は、欧州や北米パワーデバイスメーカーを中心に採用が進ん･･･

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８．市場指標／評価

はんだは、半導体素子やリードフレーム等を接合する際に使用する金属材料であり、工程によって棒はんだ、クリームはんだ等形状の異なる材料が使い分けられる。本項では、パワーデバイスの素子接合に使用されるはんだを対象とする。当該市場は、パワーデバイスの市場動向に比例する形で推移している。2021年は、パワー･･･

１．市場規模（前年比）
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ダイボンディングペーストは、リードフレームやセラミック基板等に半導体素子を接着する際に使用する接合材であり、パワーデバイスの様な導電性が必要な場合は銀が採用される。本項では、パワーデバイス用途で使用する銀ペーストを対象とする。パワーデバイスは、はんだによる接合が一般的であるが、一部のパワーデバイス･･･

１．市場規模（前年比）
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４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
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８．市場指標／評価

CMPスラリーは、CMP工程で使用する研磨液で、CMPパッドとウェーハの間にスラリーを充填し、ウェーハを回転させる事で表面の平坦化を行う。本項では、パワーデバイス製造のCMP工程で使用されるCMPスラリーを対象とする。当該市場は、CMPパッド市場と同様の推移となっており、2021年は国内/海外市場･･･

１．市場規模（前年比）
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３．市場動向（販売実績・前年比）
４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価

CMPパッドは、メタルや酸化膜を研磨する際にCMPスラリーと合わせて使用される研磨布である。主に硬質発泡タイプがウェーハ表面の研磨に用いられる。本項では、パワーデバイスの製造工程で使用されるCMPパッドを対象とする。当該市場は、パワーデバイスの需要動向と連動しており、2021年は国内/海外市場共に･･･

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６．マーケットシェア状況
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半導体レジストは、ウェーハ上に回路形成を行うフォトリソグラフィー工程で用いられる感光性材料である。パワーデバイスの回路形成では、メモリ等の先端系デバイスの様な微細加工を必要としない為、イメージセンサ等で採用されているi線レジストが主に使用される。本項では、パワーデバイス製造で使用されるi線レジスト･･･

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４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価

本項では、パワーデバイス向けに外販されるSiCウェーハ(ベアウェーハ)を対象とする。当該製品は、シリコンウェーハの8倍以上の絶縁破壊電界強度を有している事に加え、熱伝導性や電力変換効率等の性能面もシリコンウェーハの特性を上回っている。当該市場は、SiCパワーデバイス市場に比例する形で2019年迄推･･･

１．市場規模（前年比）
２．市場予測
３．市場動向（販売実績・前年比）
４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価

本項では、GaN-HEMTやGaN-MOSFETを中心としたGaNパワートランジスタを対象とし、基地局等の通信領域で採用されるGaN RFデバイスは対象外とする。当該デバイスは、SiCパワーデバイスよりもスイッチング性能に優れており、電源回路の小型化や高効率化を実現できるデバイスである。技術課題と･･･

１．市場規模（前年比）
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３．市場動向（販売実績・前年比）
４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価

本項では、SiC-FET単体の他、ユニポーラ系デバイスと異なるバイポーラ系デバイスのSiC-BJTを対象とする。2021年は、太陽光発電用パワーコンディショナ等のエネルギー分野が好調であった他、サーバ電源も需要が増加した。又、海外市場を中心に電動車向けの採用が進み、市場は大きく拡大した。2021年･･･

１．市場規模（前年比）
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３．市場動向（販売実績・前年比）
４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価

本項では、ディスクリートパッケージ製品を対象とし、IGBTと組み合わせたハイブリッド型モジュールに供給されるSiC-SBDの素子は対象外とする。当該デバイスは、絶縁破壊電界や電子飽和速度、熱伝導率等の物性に優れており、電力の高効率化を目的として採用が進められている。2021年は、電力変換効率の優位･･･

１．市場規模（前年比）
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４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価

本項では、整流回路出力の安定した直流電圧への変換等、電源回路の電圧制御目的で採用されるリニアレギュレータとスイッチングレギュレータを対象とする。尚、バッテリマネージメントICやディテクタICは対象外とする。2021年は、民生機器分野、自動車・電装分野、産業機器分野の需要が回復基調であった為、市場は･･･

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６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価

本項では、半導体素子に制御電極を付加したもので，制御電極の電圧を変える事により電流を制御するパワーディスクリート製品を対象とする。尚、主に産業分野で採用されているモジュール品やカスタム品は対象外とする。2021年は、当該市場は728億円の規模となっており、前年から二桁成長となった。2021年の市場･･･

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６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価

本項では、大電流負荷かつ高速スイッチングに最適なバイポーラスイッチングデバイスであるIGBTディスクリートを対象とし、IGBTモジュール、又パワーデバイスメーカー等に供給されるIGBT素子は対象外とする。2021年は、前年比で二桁以上の拡大となり、当該市場は975億円の市場規模となった。2021年･･･

１．市場規模（前年比）
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８．市場指標／評価

本項では、オン抵抗を下げながら耐圧を維持する高効率なスーパージャンクション構造のMOSFET(以下、SJ型パワーMOSFET)の耐圧が200V以上の領域のパワーMOSFETを対象とする。2021年は、主要アプリケーションである民生機器分野、産業分野、自動車・電装分野の需要が回復した為、市場は拡大に･･･

１．市場規模（前年比）
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６．マーケットシェア状況
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８．市場指標／評価

本項では、耐圧が200V未満のパワーMOSFETを対象とし、カスタム製品は対象外とする。2021年は、自動車・電装分野や産業分野の需要が回復基調となった他、ノートPC等の民生機器分野やサーバ電源等の情報通信機器分野も需要が堅調に増加した為、市場は拡大した。2021年の市場は、数量で178億8,00･･･

１．市場規模（前年比）
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６．マーケットシェア状況
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８．市場指標／評価

本項では、接合型のトランジスタを対象とし、電流増幅とスイッチング機能を有するユニポーラトランジスタは対象外とする。2021年は、自動車・電装分野や産業分野で需要が急拡大した為、市場は前年比約120％の大幅な拡大となった。2021年の市場は、数量で198億個（前年比111.0％）、金額で905億円（･･･

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４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
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６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価

本項では、数十kHzや数百kHzの高周波を整流する為に逆回復特性を向上させ、PN接合型の高速整流機能を持ったダイオードを対象とする。2021年は、中国において新型コロナウイルスの影響が軽微であった事に加え、他のエリアでも民生機器分野、情報通信機器分野、自動車・電装分野で需要が拡大し、市場は大幅に拡･･･

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８．市場指標／評価

本項では、金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードを対象とし、小信号デバイス(1A1V未満)は対象外とする。2021年は、民生機器分野、情報通信機器分野、自動車・電装分野等の需要増加に加え、構成部品の供給不足の影響から、海外パワーデバイスメーカーを中心に製品価格が上昇･･･

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８．市場指標／評価

本項では、定電圧ダイオード(ツェナーダイオードともいう)や1Aに満たない小信号ダイオードを除いた整流ダイオードと、整流用に4個のダイオードをブリッジ接続して一体化したブリッジダイオードを対象とする。2021年は、通年で需要が旺盛であった事から、市場は前年比二桁以上の拡大となった。2021年の市場は･･･

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本項は、パワーデバイス向けに出荷されるハンドラを対象とする。現状では、パワーデバイスに特化したハンドラは展開されておらず、既存の装置で対応している。しかし、個別対応やパワーデバイスメーカーによる内製が一部のケースで行われている。当該市場は、2019年の米中貿易摩擦による市況低迷で実績が落ち込んだ。･･･

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モールディング装置は、ワイヤボンディング後の半導体をエポキシ系樹脂等でモールド成形する装置であり、半導体素子やボンディングワイヤ等を応力や温度等の外的環境から保護する事が可能となる。本項では、パワーデバイスの後工程で使用されるモールディング装置を対象とする。2020年の市場は、数量で185台（前年･･･

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ワイヤボンダは、半導体チップとリードフレーム等を金属線で接続する装置であり、金、銀、アルミが使用される。当該装置は、金線を使用するボールボンダとアルミ等を使用するウェッジボンダに分類されるが、パワーデバイス製造ではウェッジボンダが使用される。本項ではウェッジボンダを対象とする。当該市場は、自動車・･･･

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ダイボンダは、ダイシング後の半導体素子から良品を選択・ピックアップし、リードフレーム等に半導体素子を載せる装置である。デバイスの種類によってIC・LSI用、ディスクリート用、パワーデバイス用、LED用等異なる装置がある。本項では、パワーデバイス用装置を対象とする。当該市場は、他のプロセス装置や後工･･･

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露光装置は、コータ/デベロッパで半導体レジストを塗布したウェーハ上に紫外線等の光放射、露光を行い、回路パターンを形成する装置である。本項では、パワーデバイス製造で使用されるi線露光装置を対象とし、中古装置や既存の製造ラインから転用した装置は対象外とする。当該装置は、コータ/デベロッパと合わせてフォ･･･

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コータ/デベロッパは、フォトリソグラフィー工程において、フォトレジストの塗布と現像を行う装置である。本項では、パワーデバイス向けに新規導入された装置を対象とし、中古装置等は対象外とする。現状では、パワーデバイス製造で使用されるコータ/デベロッパは、主に中古装置が採用される。しかし、ウェーハの大口径･･･

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CMP装置は、ウェーハ表面にCMPパッドを押し付け、そこにCMPスラリーを流す事で、薬液による化学的な作用と研磨粒子や研磨圧等の物理的な作用によって、ウェーハ表面の研磨・平坦化を行う装置である。本項ではパワーデバイス向けに新規導入された装置を対象とし、中古装置等は対象外とする。CMP装置は、ウェー･･･

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MOCVD(有機金属気相成長法)は、有機金属やガスを用いた結晶成長法による成膜を行う装置であり、主に窒化物単結晶多層膜の形成を目的に使用される。本項では、GaNパワーデバイスの製造工程で使用されるMOCVDを対象とする。当該市場はGaNパワーデバイス市場の伸びがあまり大きくなかった為、横ばいから微･･･

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放熱グリースはシリコーン等の有機液体に無機系の熱伝導フィラーを充填したオイルコンパウンドである。当該製品は、車載用ECU、LEDを始めとする様々なアプリケーションで採用されている。本項ではIGBTモジュール向けに使用される放熱グリースを対象とする。2020年の市場は、数量で29万3,700kg（前･･･

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放熱シートは、シリコーン樹脂等の有機系バインダに熱伝導性フィラーを充填する事で放熱機能を付加した材料である。本項では、パワーデバイス向けに使用される放熱シートを対象とし、CPUやLED等で使用されるものは対象外とする。当該市場は、IGBTモジュールを中心に採用されており、2020年は同デバイスの需･･･

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金属放熱基板は、アルミ等の金属基板上に絶縁層、回路パターンを形成した基板で、パワーデバイスやLED照明等で採用される。本項では、パワーデバイス向けに展開されている金属放熱基板を対象とする。当該製品は、インテリジェントパワーモジュールやMOSFET等で主に採用されており、民生機器分野、自動車・電装分･･･

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封止材料は、半導体素子を外的環境から保護する目的で使用されており、パワーデバイスではディスクリートやモジュールの一部でエポキシ系樹脂、パワーモジュール等の高耐圧のパワーデバイスでは、シリコーン系封止材料が使用されている。本項では、パワーデバイス向けに使用されるシリコーン系封止材料を対象とする。20･･･

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リードフレームは、半導体素子とボンディングワイヤを接続する際に、半導体素子の台座となる金属板である。本項では条材メーカーがパワーデバイス向けに提供している材料を対象とする。2020年の市場は、数量で3万4,100トン（前年比86.5％）、金額で424億円（同85.5％）である。2020年のデバイス･･･

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シンタリング接合材は、銀粒子を主な材料とし、ナノ銀、ナノ・マイクロ銀、マイクロ銀が採用される。本項では、銀粒子のみを使用した接合材を加圧タイプ、マイクロ銀とダイボンディングペーストを混ぜたものを無加圧タイプとする。加圧タイプのシンタリング接合材は、熱伝導率や耐熱性等の性能面に優れており、シリコンパ･･･

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はんだは、半導体素子やリードフレーム等を接合する際に使用する金属材料であり、工程によって棒はんだ、クリームはんだ等形状の異なる材料が使い分けられる。本項では、パワーデバイスの素子接合に使用されるはんだを対象とする。当該市場は、パワーデバイスの素子接合ははんだがメインである為、パワーデバイスの市場動･･･

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ダイボンディングペーストは、リードフレームやセラミック基板等に半導体素子を接着する際に使用する接合材であり、パワーデバイスの様な導電性が必要な場合は銀が採用される。本項では、パワーデバイス用途で使用する銀ペーストを対象とする。パワーデバイスは、はんだによる素子接合が中心であるが、一部のユーザーで採･･･

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CMPスラリーは、CMP工程で使用する研磨液で、CMPパッドとウェーハの間にスラリーを充填し、ウェーハを回転させる事で表面の平坦化を行う。本項では、パワーデバイス製造のCMP工程で使用されるCMPスラリーを対象とする。当該市場は、CMPパッド市場と同様の推移となっており、日本、欧州、台湾等他アジア･･･

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CMPパッドは、メタルや酸化膜を研磨する際にCMPスラリーと合わせて使用される研磨布である。主に硬質発泡タイプがウェーハ表面の研磨に用いられる。本項では、パワーデバイスの製造工程で使用されるCMPパッドを対象とする。2020年の市場は、数量で3万6,500枚（前年比103.1％）、金額で13億円（･･･

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半導体レジストは、ウェーハ上に回路形成を行うフォトリソグラフィー工程で用いられる感光性材料である。パワーデバイスの回路形成では、先端系デバイスの様な微細加工を必要としない為、i線レジストが主に使用される。本項では、パワーデバイス製造で使用されるi線レジストを対象とする。当該市場はパワーデバイス市場･･･

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本項では、パワーデバイス向けに外販されるSiCウェーハ(ベアウェーハ)を対象とする。当該製品は、シリコンウェーハの8倍以上の絶縁破壊電界強度を有しており、熱伝導性や電力変換効率等がシリコンウェーハの特性を上回っている。当該市場は、SiCパワーデバイス市場に比例する形で推移しており、2019年迄堅調･･･

１．市場規模（前年比）
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本項では、GaN-HEMTやGaN-MOSFETを中心としたGaNパワートランジスタを対象とし、基地局等の通信領域で採用されるGaN RFデバイスは対象外とする。2020年は、ACアダプタの需要が中国を中心にアジア圏で大きく伸びた上、海外を中心にサーバ電源等の情報通信機器が好調だった。当該市場は前･･･

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本項では、SiC-FET単体の他、ユニポーラ系デバイスと異なるバイポーラ系デバイスのSiC-BJTを対象とする。2020年は、自動車・電装分野が堅調に推移した他、エネルギー分野や情報通信分野が好調だった為、前年に続き当該市場は拡大した。2020年の市場は、数量で1,506万個（前年比122.8％）･･･

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８．市場指標／評価

本項では、ディスクリートパッケージ製品を対象とし、IGBTと組み合わせたハイブリッド型モジュールに供給されるSiC-SBDの素子は対象外とする。2020年は、5Gの普及に向けて基地局、データセンタのサーバ電源等の情報通信機器を中心に好調だった他、太陽光発電用パワーコンディショナ等のエネルギー分野、･･･

１．市場規模（前年比）
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本項では、整流回路出力の安定した直流電圧への変換等、電源回路の電圧制御目的で採用されるリニアレギュレータとスイッチングレギュレータを対象とする。尚、バッテリマネージメントICやディテクタICは対象外とする。2020年は、新型コロナウイルスの影響による景気悪化で前半の実績が落ち込んだが、後半で需要が･･･

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本項では、半導体素子に制御電極を付加したもので，制御電極の電圧を変える事により電流を制御するパワーディスクリート製品を対象とする。尚、主に産業分野で採用されているモジュール品やカスタム品は対象外とする。2020年は、新型コロナウイルスの影響により景気が悪化したが、中国や東南アジアで民生機器分野の需･･･

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本項では、大電流負荷かつ高速スイッチングに最適なバイポーラスイッチングデバイスであるIGBTディスクリートを対象とし、IGBTモジュール、又パワーデバイスメーカー等に供給されるIGBT素子は対象外とする。2020年は、白物家電等民生機器分野で一部需要が増加したが、工場の稼働停止等で自動車・電装分野･･･

１．市場規模（前年比）
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４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
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本項では、パワーMOSFETの製品群でスーパージャンクション構造のMOSFET(SJ型パワーMOSFET)等の耐圧が200V以上のMOSFETを対象とする。2020年は、低耐圧パワーMOSFETと同様サーバ電源等の情報通信機器分野は好調であったが、前半に民生機器分野、産業分野、自動車・電装分野等の･･･

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８．市場指標／評価

本項では、耐圧が200V未満のパワーMOSFETを対象とし、カスタム製品は対象外とする。2020年は、在宅中心の生活様式に変化した事でPCやゲーム機等の民生機器分野での需要が伸びた他、5G始動による基地局やデータセンタのサーバ電源等の情報通信機器分野での需要が好調であった。しかし、自動車・電装分野･･･

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８．市場指標／評価

本項では、接合型のトランジスタを対象とし、電流増幅とスイッチング機能を有するユニポーラトランジスタは対象外とする。2020年は、全体の3割以上を占める自動車・電装分野が工場の稼働停止等の影響で需要が大きく低迷し、当該市場は前年に続き縮小した。2020年の市場は数量で178億4,000万個（前年比9･･･

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８．市場指標／評価

本項では、数十kHzや数百kHzの高周波を整流する為に逆回復特性を向上させ、PN接合型の高速整流機能を持ったダイオードを対象とする。2020年は、新型コロナウイルスの影響による市況低迷から早期に回復した中国向けは需要拡大となったが、他のエリアでは前半の落ち込みから完全に回復するまでには至らず、当該･･･

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４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
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８．市場指標／評価

本項では、金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードを対象とし、小信号デバイスは対象外とする。2020年は、5Gの普及に向けて情報通信機器分野で一部需要が増加したが、新型コロナウイルスの影響を受け自動車・電装分野等が落ち込み、当該市場は前年割れとなった。2020年の市場･･･

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８．市場指標／評価

本項では、定電圧ダイオード(ツェナーダイオード)や1Aに満たない小信号ダイオードを除いた整流ダイオードと、整流用に4個のダイオードを一体化したブリッジダイオードを対象とする。2020年は、民生機器分野が中国を中心に好調であった他、サーバ電源等の情報通信機器分野が5Gの普及に向けた通信インフラの設備･･･

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本項はパワートランジスタのバイポーラ型で接合構造を持つパワーデバイスを対象とする。当該製品はベース端子に流す小さな電流でコレクタ-エミッタ間の大きな電流を制御するため、取り扱う電流が大きくなれば駆動回路も大きくなる特徴がある。そのため、スイッチング用途では電圧制御型のパワーMOSFETやIGBTデ･･･

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８．市場指標／評価

ハンドラは後工程によって完成した半導体デバイスを自動的に電気テスタ装置に供給し、テスト結果に基づいて半導体デバイスの分類・収納を行う装置である。また、ハンドラで設定した温度に印加する等の測定環境の提供も行われる。本項ではパワーデバイス向けに出荷されるハンドラを対象とする。主に電気テスタ装置1台にハ･･･

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２．市場予測
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４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価

モールディング装置は、ワイヤボンディング後の半導体をエポキシ系樹脂等でモールド成形する装置であり、半導体チップやワイヤを応力や湿度等の外的環境から保護する製品である。パワーデバイスの樹脂封止にはエポキシ系樹脂、もしくはシリコーンゲルが採用されているが、モールディング装置はエポキシ系樹脂による封止を･･･

１．市場規模（前年比）
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ワイヤボンダは、半導体チップとリードフレーム等を金属線で接続する装置であり、金、銀、アルミが主に使用される。同装置は金線を使用するボールボンダとアルミ等を使用するウェッジボンダに分類され、パワーデバイス製造ではウェッジボンダが使用される。本項ではウェッジボンダを対象とする。パワーデバイスでは100･･･

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ダイボンダは、ダイシング後の半導体チップから良品を選択・ピックアップし、リードフレーム等に半導体チップを載せる装置である。ボンディング前にはんだやダイボンディングペースト等の接合材を塗布、接合を行うが、デバイスによってIC・LSI用、ディスクリート用、パワーデバイス用、LED用等の異なる装置が展開･･･

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露光装置はコータ/デベロッパでフォトレジストを塗布したウェーハ上に紫外線等の光放射、露光を行い、回路パターンを形成する装置である。デバイスによって異なる波長が使用されており、i線、g線、エキシマレーザー、EUVが展開されている。パワーデバイスはメモリやDRAM等の先端系デバイスと比較して微細加工が･･･

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コータ/デベロッパは、写真と同様の技術を利用したフォトリソグラフィー工程において、フォトレジストの塗布と現像を行う装置である。パワーデバイスの回路パターンは、メモリ等のように複雑ではないものの、フォトリソグラフィー工程は製造プロセスにおいて重要な位置付けとなっている。本項ではパワーデバイス向けに新･･･

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CMP装置はウェーハ表面にCMPパッドを押し付け、CMPスラリーを流すことで、薬液による化学的な作用と研磨粒子や研磨圧等の物理的な作用によってウェーハ表面の研磨・平坦化を行う装置である。本項ではパワーデバイス向けCMP装置を対象とする。CMP装置はウェーハの研磨時に必要な装置であるが、エピ膜成長装･･･

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MOCVD（有機金属気相成長法）は、有機金属やガスを原料に用いた結晶成長法によって成膜を行い、LEDやパワーデバイス等の化合物半導体の製造工程で採用されている。窒化物単結晶多層膜の形成が目的である。本項では、GaNパワーデバイスの製造工程で使用されるMOCVDを対象とする。当該製品はメーカー毎にM･･･

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放熱グリースはシリコーン等の有機液体に無機系の熱伝導フィラーを充填したオイルコンパウンドである。耐熱性や絶縁性等の性能面を重視して、シリコーン系の材料が使用されている。本項ではIGBTモジュール向けに使用されている放熱グリースを対象とする。放熱グリースはヒートスプレッダなどの表面が粗い場合でも密着･･･

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放熱シートは、シリコーン樹脂等の有機系バインダに無機系の熱伝導性フィラーを充填することで放熱機能を持たせた材料である。放熱材料はシート、グリース、接着剤等の形状が展開されており、デバイスメーカーの設計思想によって使い分けられている。本項ではパワーデバイス向けに使用される放熱シートを対象とし、LED･･･

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金属放熱基板は、アルミ等の金属系の基板上に絶縁層や回路パターンを形成した基板である。自動車関連や産業機械関連で主に採用されている他、LED照明等の放熱用としても使用される。本項ではパワーデバイス向けに展開されている金属放熱基板を対象とする。ベース基板にはアルミ、銅、鉄等が採用されるが、現状ではアル･･･

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封止材料は半導体デバイスを外的環境から保護する目的で使用される。パワーデバイスではディスクリートや一部モジュールでエポキシ系樹脂、パワーモジュールやサイリスタ・トライアックなどの高耐圧のパワーデバイスではシリコーン系の封止材が使用される。本項ではパワーデバイス向けとして使用されるシリコーン系封止材･･･

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リードフレームは半導体チップと外部配線を接続する部材であり、半導体チップの台座となる金属板である。本項では条材メーカーがパワーデバイス向けに提供している条材を対象とする。当該製品は銅をベースとしていることから放熱性と導電率に優れており、300W/m・K以上の熱伝導率と、90％IACSの導電率となっ･･･

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シンタリング接合材は、SiCパワーデバイス向けに使用される素子接合材として各社で開発を進めており、現状ではサンプル出荷、評価段階である。当該製品は、銀ペーストやはんだの接合材と比較して、耐熱性や接合強度等の面で優れた特性を有しており、低温/低加圧で接合することができる材料の開発が進められている。又･･･

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はんだは、半導体チップや電子部品とリードフレーム等を接合する際に使用する金属材料であり、工程によって棒はんだ、クリームはんだ等異なる形状の材料が使用される。本項ではパワーデバイスの素子接合に使用されるはんだを対象とする。パワーデバイスの接合では主にはんだが使用されており、パワーデバイス市場の拡大に･･･

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ダイボンディングペーストは、セラミック基板やリードフレーム等に半導体チップを接着する際に使用する接合材である。パワーデバイス向けでは銀ペーストが主に使用されるため、本項ではパワーデバイス用途で使用する銀ペーストを対象とする。銀ペーストは放熱性、熱伝導性や作業性の点で優れた特性を有しているものの、銀･･･

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CMPスラリーはCMP工程で使用する研磨液であり、CMPパッドとウェーハの間にスラリーを充填し、ウェーハを回転させることで平坦化を行う。本項ではパワーデバイスのCMP工程で使用されるCMPスラリーを対象とする。当該製品は砥粒と化学薬品で構成されており、砥粒にはコロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、セ･･･

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CMPパッドは、CMPスラリーと合わせてメタルや酸化膜等を研磨する際に用いられる研磨布であり、ウェーハの表面を研磨する際に用いられる。本項ではパワーデバイスの製造工程で使用されるCMPパッドを対象とする。当該製品は硬質発泡タイプ、不織布タイプ、スエードタイプの3種類が展開されており、主に硬質発泡タ･･･

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当該製品はウェーハ上に回路形成を行うフォトリソグラフィー工程で用いられる感光性材料であり、露光装置の波長に応じてg線用、i線用、KrF用エキシマレーザー用、ArF用エキシマレーザー用が展開されている。本項ではパワーデバイス製造で使用されるi線用レジストを対象とする。パワーデバイスの回路形成は、メモ･･･

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本項ではパワーデバイス向けに外販されるSiCウェーハ（ベアウェーハ）を対象とする。当該製品は、シリコンウェーハの8倍以上の絶縁破壊電界強度を有しており、放熱性、熱伝導性、電力変換効率の面でシリコンウェーハの特性を上回っている。また、GaNウェーハと比較した場合、熱伝導率と高温動作環境での物性に優れ･･･

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本項では、GaN-HEMTやGaN-MOSFETを中心としたGaN系トランジスタとGaN-SBD市場を含めたGaNパワーデバイスを対象とする。当該製品は、SiCパワーデバイスよりもスイッチング性能に優れている。DC-DCコンバータ等に採用することで電源回路の小型化や高効率化を実現できる。2018年･･･

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本項では、SiC系のパワーMOSFETのスイッチングデバイスを搭載したパワーデバイスで、SiC-FET単体のほか、パワーモジュールメーカー向けのチップ供給分を含めて対象とする。また、バイポーラ系デバイスのSiC-BJT（Bipolar Junction Transistor）はユニポーラ系デバイス･･･

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本項では、SiC（シリコン・カーバイド）材料によるSBD(ショットキー・バリア・ダイオード）のディスクリート製品を対象とする。なお、ハイブリッド型SiCパワーモジュール、フルSiCパワーモジュール向けの素子も含む。当該製品は高耐圧・大電流用途での利用が進んでいる。主な用途は、EV等の普及に伴い急速･･･

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本項では、整流回路出力の安定した直流電圧への変換など、電源回路の電圧制御目的で採用されるリニアレギュレータとスイッチングレギュレータを対象とする。バッテリーマネージメントICやディテクタICは対象外とする。リニアレギュレータは、入出力間の連続制御や不安定な入力電圧の降圧と安定した出力電圧の転換がで･･･

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本項では、半導体素子に制御電極を付加したもので，制御電極の電圧を変えることで，電流を制御するパワーデバイスで、ディスクリート製品を対象とする。なお、産業分野で利用されるモジュール品やカスタム品は対象外とする。サイリスタの主要用途は家電製品などで、モータ、ヒータ、ランプなどの負荷に対して回転速度、温･･･

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本項は大電流負荷に適し、かつ高速スイッチングに最適なバイポーラデバイスであるIGBTディスクリートを対象とする。また、デバイスメーカーに供給されるIGBT素子は対象外とする。当該製品はパワーMOSFETと同様に高入力インピーダンス特性があることから、電圧駆動に対応でき、力率改善回路やDC-ACコン･･･

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本項は耐圧が200V以上のパワーMOSFETを対象とする。当該製品の構造は、従来型のプレーナ型と、オン抵抗を下げながら耐圧を維持する高効率なスーパージャンクション構造のMOSFET（以下、SJ型パワーMOSFET)があり、SJ型パワーMOSFETが一般化しつつある。当該製品は、高効率化と低価格化ニ･･･

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本項は200V未満耐圧のパワーMOSFETを対象とし、カスタム品は対象外とする。パワーMOSFETはディスクリート製品群においてパワーデバイスの中核に位置付けられるデバイスである。当該製品はスイッチング速度の速さや低耐圧から中耐圧領域において電力変換効率が高い特性があることから、さまざまな電源回路･･･

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本項は、逆回復特性を向上した高耐圧のPN接合型のダイオードであるファースト・リカバリー・ダイオードを対象とする。当該製品は、高速整流機能を有しており、スイッチング電源の二次側整流に適用されることが多い。また、高耐圧領域にも対応できることから、ACDCコンバータやインバータ回路に採用されている。温度･･･

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本項は、金属と半導体の接合で生じるショットキー障壁を利用したダイオードを対象とする。なお、小信号デバイスは対象外とする。当該製品は、二次側電源部で採用されることが多く、高温下でも高速かつ効率性の高い性能を持つ。150Vから170Vまでの耐圧での採用が中心であり、省エネルギー対応の強化が必要な民生機･･･

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本項では、整流ダイオードとブリッジダイオードを対象とする。なお、定電圧ダイオードや1Aに満たない小信号ダイオードは対象外とする。整流ダイオードは、整流作用を持つ基本的な半導体ダイオードで交流を直流に変換する目的で使われる。一方、ブリッジダイオードは整流用に4個のダイオードをブリッジ接続して一体化し･･･

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CMP(化学的機械研磨：Chemical Mechanical Planarization)とは化学反応によるエッチングと砥粒による機械的研磨を組み合わせた研磨技術で、半導体デバイスの製造工程で配線等による段差を平坦化するプロセスのことであり、当該製品はプロセス内での研磨材である。CMPスラリーは･･･

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CMP(化学的機械研磨：Chemical Mechanical Planarization)とは化学反応によるエッチングと砥粒による機械的研磨を組み合わせた研磨技術で、半導体デバイスの製造工程で配線等による段差を平坦化するプロセスのことであり、当該製品はプロセス内での研磨材である。CMPスラリは、･･･

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半導体レジスト(KrF、ArF、EUVレジスト)は、半導体のフォトリソグラフィ工程における半導体レーザや電子線の露光に使用される溶解性液状材料である。当該製品は露光の光源によって、KrF（248nm)、ArF(193nm)、EUV（13.5nm）の3つに大別される。2011年の世界市場は、47万9･･･

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半導体用ターゲット材には、半導体の前工程に採用されるAl、Ti、Cu、Taなどがあり、Al配線ではAlとTi、Wが主力に使用される。当該製品は低抵抗の他、スパッタ（真空中にガスを導入し、基板に成膜する方法）した際、均一な材料付着の技術が求められる。構成部材はターゲット材の支持基板に無酸素Cu/Al･･･

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CMP（Chemical Mechanical Polishing）パッドは、機械的な作用（ダウンフォース）とスラリによる化学反応を組み合わせ、ウェーハ上の膜を平坦化する高速研磨技術である。本稿では半導体の配線形成工程で使用される製品を対象とし、HD用/化合物半導体用研磨パッドは対象外とする。なお･･･

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CMP(化学的機械研磨：Chemical Mechanical Planarization)は、薬液によるエッチング反応と砥粒による機械的研磨を組み合わせた研磨技術である。本稿では半導体前工程の研磨技術を対象とする。CMPの主な構成部材は、砥粒（最も重要な原材料）、酸化剤、分散剤、界面活性剤の4つ･･･

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Low-k（低誘電率膜）材料は、半導体用の配線工程における誘電率（k値）が3.0以下の製品と定義する。従ってSiO2（k=4.0）、FSG（k=3.6）は対象外とする。また、Gap Filling材は目的が異なるため対象外とする。近年、集積回路微細化により配線間の電気容量が増え、信号伝送に遅延傾向･･･

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