富士経済グループマーケットシェアデータ

本項はパワートランジスタのバイポーラ型で接合構造を持つパワーデバイスを対象とする。当該製品はベース端子に流す小さな電流でコレクタ-エミッタ間の大きな電流を制御するため、取り扱う電流が大きくなれば駆動回路も大きくなる特徴がある。そのため、スイッチング用途では電圧制御型のパワーMOSFETやIGBTデ･･･

１．市場規模（前年比）
２．市場予測
３．市場動向（販売実績・前年比）
４．マーケットシェア（会社名、販売実績、シェア）
５．市場概要
６．マーケットシェア状況
７．市場展望
８．市場指標／評価

ハンドラは後工程によって完成した半導体デバイスを自動的に電気テスタ装置に供給し、テスト結果に基づいて半導体デバイスの分類・収納を行う装置である。また、ハンドラで設定した温度に印加する等の測定環境の提供も行われる。本項ではパワーデバイス向けに出荷されるハンドラを対象とする。主に電気テスタ装置1台にハ･･･

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モールディング装置は、ワイヤボンディング後の半導体をエポキシ系樹脂等でモールド成形する装置であり、半導体チップやワイヤを応力や湿度等の外的環境から保護する製品である。パワーデバイスの樹脂封止にはエポキシ系樹脂、もしくはシリコーンゲルが採用されているが、モールディング装置はエポキシ系樹脂による封止を･･･

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ワイヤボンダは、半導体チップとリードフレーム等を金属線で接続する装置であり、金、銀、アルミが主に使用される。同装置は金線を使用するボールボンダとアルミ等を使用するウェッジボンダに分類され、パワーデバイス製造ではウェッジボンダが使用される。本項ではウェッジボンダを対象とする。パワーデバイスでは100･･･

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ダイボンダは、ダイシング後の半導体チップから良品を選択・ピックアップし、リードフレーム等に半導体チップを載せる装置である。ボンディング前にはんだやダイボンディングペースト等の接合材を塗布、接合を行うが、デバイスによってIC・LSI用、ディスクリート用、パワーデバイス用、LED用等の異なる装置が展開･･･

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露光装置はコータ/デベロッパでフォトレジストを塗布したウェーハ上に紫外線等の光放射、露光を行い、回路パターンを形成する装置である。デバイスによって異なる波長が使用されており、i線、g線、エキシマレーザー、EUVが展開されている。パワーデバイスはメモリやDRAM等の先端系デバイスと比較して微細加工が･･･

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コータ/デベロッパは、写真と同様の技術を利用したフォトリソグラフィー工程において、フォトレジストの塗布と現像を行う装置である。パワーデバイスの回路パターンは、メモリ等のように複雑ではないものの、フォトリソグラフィー工程は製造プロセスにおいて重要な位置付けとなっている。本項ではパワーデバイス向けに新･･･

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CMP装置はウェーハ表面にCMPパッドを押し付け、CMPスラリーを流すことで、薬液による化学的な作用と研磨粒子や研磨圧等の物理的な作用によってウェーハ表面の研磨・平坦化を行う装置である。本項ではパワーデバイス向けCMP装置を対象とする。CMP装置はウェーハの研磨時に必要な装置であるが、エピ膜成長装･･･

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MOCVD（有機金属気相成長法）は、有機金属やガスを原料に用いた結晶成長法によって成膜を行い、LEDやパワーデバイス等の化合物半導体の製造工程で採用されている。窒化物単結晶多層膜の形成が目的である。本項では、GaNパワーデバイスの製造工程で使用されるMOCVDを対象とする。当該製品はメーカー毎にM･･･

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放熱グリースはシリコーン等の有機液体に無機系の熱伝導フィラーを充填したオイルコンパウンドである。耐熱性や絶縁性等の性能面を重視して、シリコーン系の材料が使用されている。本項ではIGBTモジュール向けに使用されている放熱グリースを対象とする。放熱グリースはヒートスプレッダなどの表面が粗い場合でも密着･･･

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放熱シートは、シリコーン樹脂等の有機系バインダに無機系の熱伝導性フィラーを充填することで放熱機能を持たせた材料である。放熱材料はシート、グリース、接着剤等の形状が展開されており、デバイスメーカーの設計思想によって使い分けられている。本項ではパワーデバイス向けに使用される放熱シートを対象とし、LED･･･

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金属放熱基板は、アルミ等の金属系の基板上に絶縁層や回路パターンを形成した基板である。自動車関連や産業機械関連で主に採用されている他、LED照明等の放熱用としても使用される。本項ではパワーデバイス向けに展開されている金属放熱基板を対象とする。ベース基板にはアルミ、銅、鉄等が採用されるが、現状ではアル･･･

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封止材料は半導体デバイスを外的環境から保護する目的で使用される。パワーデバイスではディスクリートや一部モジュールでエポキシ系樹脂、パワーモジュールやサイリスタ・トライアックなどの高耐圧のパワーデバイスではシリコーン系の封止材が使用される。本項ではパワーデバイス向けとして使用されるシリコーン系封止材･･･

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リードフレームは半導体チップと外部配線を接続する部材であり、半導体チップの台座となる金属板である。本項では条材メーカーがパワーデバイス向けに提供している条材を対象とする。当該製品は銅をベースとしていることから放熱性と導電率に優れており、300W/m・K以上の熱伝導率と、90％IACSの導電率となっ･･･

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シンタリング接合材は、SiCパワーデバイス向けに使用される素子接合材として各社で開発を進めており、現状ではサンプル出荷、評価段階である。当該製品は、銀ペーストやはんだの接合材と比較して、耐熱性や接合強度等の面で優れた特性を有しており、低温/低加圧で接合することができる材料の開発が進められている。又･･･

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はんだは、半導体チップや電子部品とリードフレーム等を接合する際に使用する金属材料であり、工程によって棒はんだ、クリームはんだ等異なる形状の材料が使用される。本項ではパワーデバイスの素子接合に使用されるはんだを対象とする。パワーデバイスの接合では主にはんだが使用されており、パワーデバイス市場の拡大に･･･

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ダイボンディングペーストは、セラミック基板やリードフレーム等に半導体チップを接着する際に使用する接合材である。パワーデバイス向けでは銀ペーストが主に使用されるため、本項ではパワーデバイス用途で使用する銀ペーストを対象とする。銀ペーストは放熱性、熱伝導性や作業性の点で優れた特性を有しているものの、銀･･･

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CMPスラリーはCMP工程で使用する研磨液であり、CMPパッドとウェーハの間にスラリーを充填し、ウェーハを回転させることで平坦化を行う。本項ではパワーデバイスのCMP工程で使用されるCMPスラリーを対象とする。当該製品は砥粒と化学薬品で構成されており、砥粒にはコロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、セ･･･

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CMPパッドは、CMPスラリーと合わせてメタルや酸化膜等を研磨する際に用いられる研磨布であり、ウェーハの表面を研磨する際に用いられる。本項ではパワーデバイスの製造工程で使用されるCMPパッドを対象とする。当該製品は硬質発泡タイプ、不織布タイプ、スエードタイプの3種類が展開されており、主に硬質発泡タ･･･

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当該製品はウェーハ上に回路形成を行うフォトリソグラフィー工程で用いられる感光性材料であり、露光装置の波長に応じてg線用、i線用、KrF用エキシマレーザー用、ArF用エキシマレーザー用が展開されている。本項ではパワーデバイス製造で使用されるi線用レジストを対象とする。パワーデバイスの回路形成は、メモ･･･

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本項ではパワーデバイス向けに外販されるSiCウェーハ（ベアウェーハ）を対象とする。当該製品は、シリコンウェーハの8倍以上の絶縁破壊電界強度を有しており、放熱性、熱伝導性、電力変換効率の面でシリコンウェーハの特性を上回っている。また、GaNウェーハと比較した場合、熱伝導率と高温動作環境での物性に優れ･･･

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本項では、GaN-HEMTやGaN-MOSFETを中心としたGaN系トランジスタとGaN-SBD市場を含めたGaNパワーデバイスを対象とする。当該製品は、SiCパワーデバイスよりもスイッチング性能に優れている。DC-DCコンバータ等に採用することで電源回路の小型化や高効率化を実現できる。2018年･･･

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本項では、SiC系のパワーMOSFETのスイッチングデバイスを搭載したパワーデバイスで、SiC-FET単体のほか、パワーモジュールメーカー向けのチップ供給分を含めて対象とする。また、バイポーラ系デバイスのSiC-BJT（Bipolar Junction Transistor）はユニポーラ系デバイス･･･

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本項では、SiC（シリコン・カーバイド）材料によるSBD(ショットキー・バリア・ダイオード）のディスクリート製品を対象とする。なお、ハイブリッド型SiCパワーモジュール、フルSiCパワーモジュール向けの素子も含む。当該製品は高耐圧・大電流用途での利用が進んでいる。主な用途は、EV等の普及に伴い急速･･･

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本項では、整流回路出力の安定した直流電圧への変換など、電源回路の電圧制御目的で採用されるリニアレギュレータとスイッチングレギュレータを対象とする。バッテリーマネージメントICやディテクタICは対象外とする。リニアレギュレータは、入出力間の連続制御や不安定な入力電圧の降圧と安定した出力電圧の転換がで･･･

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本項では、半導体素子に制御電極を付加したもので，制御電極の電圧を変えることで，電流を制御するパワーデバイスで、ディスクリート製品を対象とする。なお、産業分野で利用されるモジュール品やカスタム品は対象外とする。サイリスタの主要用途は家電製品などで、モータ、ヒータ、ランプなどの負荷に対して回転速度、温･･･

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本項は大電流負荷に適し、かつ高速スイッチングに最適なバイポーラデバイスであるIGBTディスクリートを対象とする。また、デバイスメーカーに供給されるIGBT素子は対象外とする。当該製品はパワーMOSFETと同様に高入力インピーダンス特性があることから、電圧駆動に対応でき、力率改善回路やDC-ACコン･･･

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本項は耐圧が200V以上のパワーMOSFETを対象とする。当該製品の構造は、従来型のプレーナ型と、オン抵抗を下げながら耐圧を維持する高効率なスーパージャンクション構造のMOSFET（以下、SJ型パワーMOSFET)があり、SJ型パワーMOSFETが一般化しつつある。当該製品は、高効率化と低価格化ニ･･･

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本項は200V未満耐圧のパワーMOSFETを対象とし、カスタム品は対象外とする。パワーMOSFETはディスクリート製品群においてパワーデバイスの中核に位置付けられるデバイスである。当該製品はスイッチング速度の速さや低耐圧から中耐圧領域において電力変換効率が高い特性があることから、さまざまな電源回路･･･

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本項は、逆回復特性を向上した高耐圧のPN接合型のダイオードであるファースト・リカバリー・ダイオードを対象とする。当該製品は、高速整流機能を有しており、スイッチング電源の二次側整流に適用されることが多い。また、高耐圧領域にも対応できることから、ACDCコンバータやインバータ回路に採用されている。温度･･･

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本項は、金属と半導体の接合で生じるショットキー障壁を利用したダイオードを対象とする。なお、小信号デバイスは対象外とする。当該製品は、二次側電源部で採用されることが多く、高温下でも高速かつ効率性の高い性能を持つ。150Vから170Vまでの耐圧での採用が中心であり、省エネルギー対応の強化が必要な民生機･･･

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本項では、整流ダイオードとブリッジダイオードを対象とする。なお、定電圧ダイオードや1Aに満たない小信号ダイオードは対象外とする。整流ダイオードは、整流作用を持つ基本的な半導体ダイオードで交流を直流に変換する目的で使われる。一方、ブリッジダイオードは整流用に4個のダイオードをブリッジ接続して一体化し･･･

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CMP(化学的機械研磨：Chemical Mechanical Planarization)とは化学反応によるエッチングと砥粒による機械的研磨を組み合わせた研磨技術で、半導体デバイスの製造工程で配線等による段差を平坦化するプロセスのことであり、当該製品はプロセス内での研磨材である。CMPスラリーは･･･

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CMP(化学的機械研磨：Chemical Mechanical Planarization)とは化学反応によるエッチングと砥粒による機械的研磨を組み合わせた研磨技術で、半導体デバイスの製造工程で配線等による段差を平坦化するプロセスのことであり、当該製品はプロセス内での研磨材である。CMPスラリは、･･･

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半導体レジスト(KrF、ArF、EUVレジスト)は、半導体のフォトリソグラフィ工程における半導体レーザや電子線の露光に使用される溶解性液状材料である。当該製品は露光の光源によって、KrF（248nm)、ArF(193nm)、EUV（13.5nm）の3つに大別される。2011年の世界市場は、47万9･･･

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半導体用ターゲット材には、半導体の前工程に採用されるAl、Ti、Cu、Taなどがあり、Al配線ではAlとTi、Wが主力に使用される。当該製品は低抵抗の他、スパッタ（真空中にガスを導入し、基板に成膜する方法）した際、均一な材料付着の技術が求められる。構成部材はターゲット材の支持基板に無酸素Cu/Al･･･

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CMP（Chemical Mechanical Polishing）パッドは、機械的な作用（ダウンフォース）とスラリによる化学反応を組み合わせ、ウェーハ上の膜を平坦化する高速研磨技術である。本稿では半導体の配線形成工程で使用される製品を対象とし、HD用/化合物半導体用研磨パッドは対象外とする。なお･･･

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CMP(化学的機械研磨：Chemical Mechanical Planarization)は、薬液によるエッチング反応と砥粒による機械的研磨を組み合わせた研磨技術である。本稿では半導体前工程の研磨技術を対象とする。CMPの主な構成部材は、砥粒（最も重要な原材料）、酸化剤、分散剤、界面活性剤の4つ･･･

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Low-k（低誘電率膜）材料は、半導体用の配線工程における誘電率（k値）が3.0以下の製品と定義する。従ってSiO2（k=4.0）、FSG（k=3.6）は対象外とする。また、Gap Filling材は目的が異なるため対象外とする。近年、集積回路微細化により配線間の電気容量が増え、信号伝送に遅延傾向･･･

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