【BK01】｜【構造決定法；回折結晶学】 ｜金属組織についてはWB01010R「金属組織観察法」をも見よ
｜ ｜
BK01010X｜構造決定法・回折結晶学一般 ｜
｜ ｜
BK01020I｜X線回折法 ｜X線回折・散乱理論及び装置に関するものに限る
｜ ｜
BK01030T｜電子回折法 ｜電子回折・散乱理論及び装置に関するものに限る。LEEDとRHEE
｜ ｜Dなどを含む
｜ ｜
BK01040E｜顕微鏡法 ｜電子顕微鏡，電界イオン顕微鏡などによる構造解析に限る。電
｜ ｜子顕微鏡とイオン顕微鏡の光学系についてはBD02050B「電子顕
｜ ｜微鏡，イオン顕微鏡」を見よ
｜ ｜
BK01050P｜電子分光法 ｜光電子回折を含む
｜ ｜
BK01060A｜中性子回折法 ｜中性子回折・散乱理論及び装置に関するものに限る。磁気散乱
｜ ｜についてはBM06「磁性」，フォノン散乱についてはBL03「格子
｜ ｜力学」をも見よ
｜ ｜
BK01070L｜その他の構造決定法 ｜ガンマ線回折，EXAFS，XANESなど
｜ ｜
【BK02】｜【液体構造】 ｜溶液についてはCB05「溶液論」を，液体論はBJ01010U「流体論
｜ ｜」を見よ
｜ ｜
BK02010E｜液体構造一般 ｜
｜ ｜
BK02020P｜液体金属の構造 ｜
｜ ｜
｜ ｜
【BK03】｜【液晶】 ｜液晶の応用を含む。液晶ディスプレイはNC06030Q「表示機器」
｜ ｜をも見よ。液晶高分子はCG02001Z「高分子の物性一般」をも見
｜ ｜よ。脂質の液晶特性はEB05010B「脂質一般」をも見よ
｜ ｜
BK03010L｜液晶一般 ｜共通問題，配向及び配列の一般理論を含む
｜ ｜
｜ ｜
BK03020W｜ネマチック相 ｜ネマチック相の関与する相転移など
｜ ｜
｜ ｜
BK03030H｜その他の液晶 ｜スメクチック相，コレステリック相など，及びこれらの間の相
｜ ｜転移など
｜ ｜
【BK04】｜【非晶質の構造】 ｜ガラス，プラスチックなどの材料はY「化学工業」を見よ。各
｜ ｜種の物性についてはそれぞれの項を見よ。作製法及びガラス転
｜ ｜移などを含む
｜ ｜
BK04010S｜非晶質の構造一般 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BK04020D｜非晶質金属の構造 ｜半金属，金属間化合物を含む
｜ ｜
｜ ｜
BK04030O｜非晶質半導体の構造 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BK04040Z｜その他の非晶質の構造 ｜
｜ ｜
｜ ｜
【BK05】｜【結晶構造一般；結晶学】 ｜
｜ ｜
BK05010Z｜結晶学一般 ｜結晶構造の共通問題，結晶幾何学，対称群など。回折結晶学は
｜ ｜BK01「構造決定法：回折結晶学」を見よ
｜ ｜
BK05020K｜結晶結合 ｜結晶の化学結合性と結合エネルギーなど
｜ ｜
｜ ｜
BK06000V｜金属の結晶構造 ｜金属間化合物及び半金属を含む。金属組織についてはWB01030N
｜ ｜「変態組織，加工組織」を見よ
｜ ｜
【BK07】｜【無機化合物の結晶構造】 ｜合成鉱物などを含む
｜ ｜
BK07001T｜無機化合物の結晶構造一般 ｜【’93～】
｜ ｜
｜ ｜
BK07010N｜非金属元素とその化合物の結 ｜
｜晶構造 ｜
｜ ｜
BK07020Y｜金属酸化物及び金属カルコゲ ｜金属の酸素酸塩・カルコゲン酸塩などを含む
｜ン化物の結晶構造 ｜
｜ ｜
BK07030J｜その他の無機化合物の結晶構 ｜
｜造 ｜
｜ ｜
【BK08】｜【有機化合物の結晶構造】 ｜電荷移動錯体についてはBK09050T「分子化合物の結晶構造」を
｜ ｜見よ
｜ ｜
BK08001A｜有機化合物の結晶構造一般 ｜【’93～】
｜ ｜
BK08010U｜脂肪族・脂環式化合物の結晶 ｜
｜構造 ｜
｜ ｜
BK08020F｜芳香族化合物の結晶構造 ｜
｜ ｜
BK08030Q｜複素環式化合物の結晶構造 ｜
｜ ｜
BK08040B｜有機半金属・有機金属化合物 ｜
｜の結晶構造 ｜
｜ ｜
BK08050M｜有機天然化合物の結晶構造 ｜テルペノイド，アルカロイド，ステロイド，炭水化物，アミノ
｜ ｜酸，ペプチドおよび動植物・微生物のその他の産生物質など
｜ ｜
【BK09】｜【錯体の結晶構造】 ｜
｜ ｜
BK09001H｜配位化合物の結晶構造一般 ｜【’93～】
｜ ｜
BK09010B｜非金属の錯体の結晶構造 ｜
｜ ｜
BK09020M｜非遷移金属元素の錯体の結晶 ｜Li，Na，K，Rb，Cs，Fr，Be，Mg，Ca，Sr，Ba，Ra，Al，Ga，I
｜構造 ｜n，Tl，Ge，Sn，Pb，Sb，Bi，Poの錯体
｜ ｜
BK09030X｜遷移金属元素（鉄族元素を除 ｜
｜く）の錯体の結晶構造 ｜
｜ ｜
BK09040I｜鉄族元素の錯体の結晶構造 ｜Fe，Co，Niの錯体
｜ ｜
BK09050T｜分子化合物の結晶構造 ｜電荷移動錯体，包接化合物，層間化合物，水素結合体，溶媒和
｜ ｜物，会合体（分子を含むクラスタ）など【’93～】
｜ ｜
BK10000K｜高分子の結晶構造 ｜生体高分子についてはEB「生化学」をも見よ
｜ ｜
BK11000R｜鉱物の結晶構造 ｜合成鉱物についてはBK07「無機化合物の結晶構造」を見よ
｜ ｜
｜ ｜
【BK12】｜【格子欠陥】 ｜不純物分布，点欠陥，転位，結晶粒界など
｜ ｜
BK12010J｜格子欠陥一般 ｜格子欠陥の一般的・基礎的理論など
｜ ｜
BK12020U｜格子欠陥の観察・実験技術 ｜
｜ ｜
BK12030F｜金属の格子欠陥 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BK12040Q｜半導体の格子欠陥 ｜ドーピングなどを含む。NC03020K「固体デバイス材料」をも見
｜ ｜よ
｜ ｜
BK12050B｜その他の無機化合物の格子欠 ｜
｜陥 ｜
｜ ｜
BK12060M｜有機化合物の格子欠陥 ｜有機半導体を含む
｜ ｜
【BK13】｜【結晶成長】 ｜エピタキシャル成長はBK14「薄膜」をも見よ
｜ ｜
BK13010Q｜結晶成長一般 ｜結晶成長の一般的・基礎的理論を含む
｜ ｜
｜ ｜
BK13020B｜結晶成長技術・装置 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BK13030M｜金属の結晶成長 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BK13040X｜半導体の結晶成長 ｜NC03020K「固体デバイス材料」をも見よ
｜ ｜
｜ ｜
BK13050I｜酸化物の結晶成長 ｜酸化物半導体を含む
｜ ｜
｜ ｜
BK13060T｜その他の無機化合物の結晶成 ｜
｜長 ｜
｜ ｜
BK13070E｜有機化合物の結晶成長 ｜有機半導体を含む
｜ ｜
｜ ｜
【BK14】｜【薄膜】 ｜単結晶薄膜，エピタキシャル層，厚膜などを含む。固体薄膜の
｜ ｜成長，構造及び評価（キャラクタリゼーション）に限る。薄膜
｜ ｜の物性については物性の分類を見よ。薄膜素子についてはNC03
｜ ｜「固体デバイス」を見よ
｜ ｜
BK14010X｜薄膜一般 ｜薄膜成長の一般的・基礎的理論を含む
｜ ｜
BK14020I｜薄膜成長技術・装置 ｜
｜ ｜
BK14030T｜金属薄膜 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BK14040E｜半導体薄膜 ｜
｜ ｜
BK14050P｜酸化物薄膜 ｜酸化物半導体を含む
｜ ｜
BK14060A｜その他の無機化合物の薄膜 ｜
｜ ｜
BK14070L｜有機化合物の薄膜 ｜有機半導体を含む
｜ ｜
【BK15】｜【固体の表面構造】 ｜CB12「界面化学」をも見よ。固体界面の構造を含む
｜ ｜
BK15010E｜固体の表面構造一般 ｜
｜ ｜
BK15020P｜金属の表面構造 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BK15030A｜半導体の表面構造 ｜
｜ ｜
【BK16】｜【放射線物理，衝撃現象】 ｜放射線損傷，原子線・イオン線の照射効果を含む。回折結晶学
｜ ｜についてはBK01「構造決定法：回折結晶学」を見よ。生物に対
｜ ｜する影響はEK「放射線生物学」を見よ
｜ ｜
BK16010L｜放射線物理一般 ｜放射線・原子線・イオン線と物質との相互作用を一般的に論じ
｜ ｜たものに限る
｜ ｜
BK16020W｜ガンマ線との相互作用 ｜「Moessbauer効果」はBM0708を見よ。TDPAC法など
｜ ｜
｜ ｜
BK16030H｜X線との相互作用 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BK16040S｜レーザ照射・損傷 ｜レーザアニールなど
｜ ｜
(BK1605)｜(電子・陽電子との相互作用) ｜「チャネリング，ブロッキング，粒子のエネルギー損失」はBK
｜ ｜16100Jを見よ
｜ ｜
BK16051U｜電子・陽電子との相互作用一 ｜
｜般 ｜
｜ ｜
BK16052L｜陽電子消滅 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BK16060O｜中性子との相互作用 ｜原子炉内の中性子の挙動はMD02010U「原子炉内の中性子の挙動
｜ ｜」を見よ
｜ ｜
BK16070Z｜イオンとの相互作用 ｜イオン衝撃，イオン反射など。BK16110U「スパッタリング」，
｜ ｜BK16100J「チャネリング，ブロッキング，粒子のエネルギー損
｜ ｜失」，BM09「電子放出，イオン放出」についてはそれぞれの項
｜ ｜を見よ
｜ ｜
BK16080K｜分子（原子）ビームとの相互 ｜
｜作用 ｜
｜ ｜
BK16090V｜その他の粒子との相互作用 ｜中間子，陽子，ミュー粒子との相互作用を含む。BM07060W「ミ
｜ ｜ュー粒子スピン回転」についてはその項を見よ
｜ ｜
BK16100J｜チャネリング，ブロッキング ｜阻止能など
｜，粒子のエネルギー損失 ｜
｜ ｜
BK16110U｜スパッタリング ｜スパッタリングによる薄膜の作製はBK14「薄膜」を見よ
｜ ｜
｜ ｜
(BK1612)｜(放射線による構造と物性の ｜イオン注入損傷及び照射損傷など。BK12「格子欠陥」をも見よ
｜変化) ｜。高分子についてはCG03050S「放射線高分子化学」を見よ。照
｜ ｜射による機械的性質などの物性の変化はBL0102「固体の機械的
｜ ｜性質」などの該当する分類をも見よ
｜ ｜
BK16121W｜放射線による構造と物性の変 ｜
｜化一般 ｜
｜ ｜
BK16122N｜金属の放射線による構造と物 ｜
｜性の変化 ｜
｜ ｜
BK16123E｜半導体の放射線による構造と ｜
｜物性の変化 ｜
｜ ｜
BK16124V｜その他の物質の放射線による ｜
｜構造と物性の変化 ｜