BM01000S｜電子物性一般 ｜物性物理一般を含む
｜ ｜
【BM02】｜【電子構造】 ｜バンド構造など
｜ ｜
BM02010K｜電子構造一般 ｜電子構造に関する一般理論，共通問題など
｜ ｜
BM02020V｜液体の電子構造一般 ｜液体金属の電子構造はBM02030G「液体金属の電子構造」を見よ
｜ ｜
BM02030G｜液体金属の電子構造 ｜
｜ ｜
｜ ｜
(BM0204)｜(非晶質の電子構造) ｜
｜ ｜
BM02041I｜非晶質の電子構造一般 ｜非晶質半導体の電子構造など
｜ ｜
BM02042Z｜非晶質金属の電子構造 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM02050C｜金属結晶の電子構造 ｜金属のバンド構造，Fermi準位など
｜ ｜
｜ ｜
BM02060N｜半導体結晶の電子構造 ｜半導体のバンド構造，Fermi準位など
｜ ｜
BM02070Y｜絶縁体結晶の電子構造 ｜誘電体のバンド構造など
｜ ｜
BM02080J｜表面の電子構造 ｜表面準位など
｜ ｜
BM02090U｜結晶中の局在電子構造 ｜結晶場によるエネルギー準位分裂，Anderson局在の電子構造，
｜ ｜混合原子価状態の電子構造など
｜ ｜
BM02100I｜不純物・欠陥の電子構造 ｜不純物準位，欠陥準位，深い準位，浅い準位など
｜ ｜
BM02110T｜金属－絶縁体転移 ｜Mott転移など
｜ ｜
BM02120E｜励起子 ｜励起子‐フォノン相互作用，電子正孔液滴など励起子に関連す
｜ ｜る現象など
｜ ｜
BM02130P｜ポーラロン，電子－フォノン ｜Peierls転移を含む
｜相互作用 ｜
｜ ｜
BM02140A｜ポラリトン ｜
｜ ｜
BM02150L｜固体中のその他の準粒子 ｜
｜ ｜
BM02160W｜固体プラズマ ｜プラズモン，電子ガス，電子正孔プラズマなど
｜ ｜
【BM03】｜【電気物性：電子伝導】 ｜組成，加工及び処理に伴う電気的性質についてはWB「金属学」
｜ ｜及びY「化学工業」を見よ。音響電気効果及び磁気音響効果に
｜ ｜ついてはBL02「音波物性」を見よ
｜ ｜
BM03010R｜電気物性一般 ｜
｜ ｜
BM03020C｜電子輸送の一般理論 ｜Anderson局在の輸送理論，量子Hall効果など
｜ ｜
(BM0303)｜(金属の電子伝導) ｜電流磁気効果（Hall効果，磁気抵抗効果など），熱流磁気効果
｜ ｜（Nernst効果など），熱電気効果（熱起電力，Peltier効果な
｜ ｜ど），圧抵抗効果を含む。Kondo効果についてはBM06「磁性」
｜ ｜をも見よ
｜ ｜
BM03031E｜金属の電子伝導一般 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM03032V｜非晶質・液体金属の電子伝導 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM03033M｜金属結晶の電子伝導 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM03034D｜非金属化合物に見られる電子 ｜電荷移動錯体，低次元導体などの電子伝導を含む
｜伝導 ｜
｜ ｜
(BM0304)｜(半導体と絶縁体の電気伝導) ｜電流磁気効果（Hall効果，磁気抵抗効果など），熱流磁気効果
｜ ｜（Nernst効果など），熱電気効果（熱起電力，Peltier効果な
｜ ｜ど），圧抵抗効果を含む。イオン伝導が加わる場合はBM03060U
｜ ｜「混合伝導」を見よ
｜ ｜
BM03041P｜半導体と絶縁体の電気伝導一 ｜一般理論，キャリア散乱，キャリア移動度，キャリア生成，キ
｜般 ｜ャリア再結合，キャリア寿命など
｜ ｜
BM03042G｜非晶質・液体半導体の電気伝 ｜
｜導 ｜
｜ ｜
BM03043X｜半導体結晶の電気伝導 ｜
｜ ｜
BM03044O｜その他の無機化合物の電気伝 ｜
｜導 ｜
｜ ｜
BM03045F｜有機化合物の電気伝導 ｜有機伝導体及び有機半導体など
｜ ｜
BM03050J｜光伝導，光起電力 ｜光電効果，光電磁効果，光電流など
｜ ｜
BM03060U｜混合伝導 ｜
｜ ｜
(BM0308)｜(界面の電気的性質：接合・ ｜固体デバイスについてはNC03「固体デバイス」を見よ【’93～
｜接触) ｜∥’92まではBM0307】
｜ ｜
BM03081H｜界面の電気的性質一般 ｜接触抵抗，整流現象，トンネル効果の一般理論など【’93～∥
｜ ｜’92まではBM03071W】
｜ ｜
BM03082Y｜13‐15族化合物を含む半導体 ｜13‐15族化合物（III‐V族化合物；ひ化ガリウム，りん化イン
｜－半導体接合 ｜ジウムなど）のPN接合，ヘテロ接合など【’93～∥’92までは
｜ ｜BM03072N】
｜ ｜
BM03083P｜13‐15族化合物を含まない半 ｜セレン化カドミウム，硫化亜鉛などの12‐16族化合物（II‐VI
｜導体‐半導体接合 ｜族化合物），けい素，ゲルマニウムなどを含むPN接合・ヘテロ
｜ ｜接合など【’93～∥’92まではBM03072N】
｜ ｜
BM03084G｜半導体－金属接触 ｜Schottky障壁，MSM構造，SMS構造を含む【’93～∥’92までは
｜ ｜BM03073E】
｜ ｜
BM03085X｜金属－絶縁体－半導体構造 ｜MIS構造，MOS構造など。半導体－絶縁体接触を含む【’93～∥
｜ ｜’92まではBM03074V】
｜ ｜
BM03086O｜その他の半導体を含む系の接 ｜半導体－電解質接合など【’93～∥’92まではBM03075M】
｜触 ｜
｜ ｜
BM03087F｜金属－絶縁体－金属構造 ｜MIM構造を含む。金属－絶縁体接触を含む【’93～∥’92まで
｜ ｜はBM03076D】
｜ ｜
BM03088W｜その他の接合 ｜金属－金属接触など。超伝導接合はBM04043E「Josephson接合
｜ ｜・素子」を見よ【’93～∥’92まではBM03077U】
｜ ｜
【BM04】｜【超伝導】 ｜【’93よりBM04030Uを廃止】
｜ ｜
BM04010Y｜超伝導の基礎理論 ｜超伝導の発現機構に関するものに限る
｜ ｜
(BM0402)｜(超伝導体の物性) ｜【’93～∥’92まではBM04020J「超伝導状態の性質一般」】
｜ ｜
BM04021A｜超伝導体の物性一般 ｜超伝導体の物性に関する理論及び超伝導体に対する測定技術を
｜ ｜含む【’93～】
｜ ｜
BM04022R｜金属系超伝導体の物性 ｜Chevrel化合物（超伝導体）を含む。【’93～】
｜ ｜
｜ ｜
BM04023I｜酸化物系超伝導体の物性 ｜【’93～】
｜ ｜
｜ ｜
BM04024Z｜有機物系超伝導体の物性 ｜【’93～】
｜ ｜
BM04025Q｜その他の超伝導体の物性 ｜炭素クラスタ系超伝導体など【’93～】
｜ ｜
(BM0404)｜(超伝導材料・応用装置) ｜超伝導ケーブルはNA05020S「電線，ケーブル」を見よ
｜ ｜
BM04041W｜超伝導材料 ｜
｜ ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM04042N｜超伝導磁石 ｜
｜ ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM04043E｜Josephson接合・素子 ｜SQUID，超伝導ブリッジ，超伝導論理回路素子，SNS接合，SLUG
｜ ｜，超伝導リング，超伝導ミキサ，超伝導発振器など
｜ ｜
BM04044V｜その他の超伝導応用装置 ｜超伝導キャビティーなど
｜ ｜
【BM05】｜【誘電体】 ｜NA04030W「絶縁材料」をも見よ
｜ ｜
BM05010F｜誘電体一般 ｜固体誘電体の絶縁破壊，空間電荷効果，常誘電体の性質全般を
｜ ｜含む。溶液の誘電緩和についてはBH「原子，分子」を見よ
｜ ｜
BM05020Q｜誘電体測定技術・装置 ｜
｜ ｜
BM05030B｜強誘電体，反強誘電体，強弾 ｜強誘電性液晶はBK03「液晶」をも見よ
｜性 ｜
｜ ｜
BM05040M｜圧電気，焦電気，エレクトレ ｜高分子エレクトレットはCG02024U「高分子固体の物理的性質」
｜ット ｜をも見よ
｜ ｜
【BM06】｜【磁性】 ｜組成，加工及び処理に伴う材料の磁性についてはWB「金属学」
｜ ｜及びY「化学工業」を見よ
｜ ｜
BM06010M｜磁性一般 ｜
｜ ｜
BM06020X｜磁性理論 ｜Heisenberg模型，遍歴電子模型，その他一般的理論を含む
｜ ｜
BM06030I｜磁性体測定技術・装置 ｜
｜ ｜
BM06040T｜金属結晶の磁性 ｜これ以下の物質別の項目の範囲は，物質固有の磁性（磁化率，
｜ ｜磁気構造，交換相互作用，不純物効果，磁気転移，磁気比熱，
｜ ｜スピン波など），磁気電気効果，磁気熱効果などを含む。磁気
｜ ｜光学効果はBM08「光物性」，磁気音響効果はBL02「音波物性」
｜ ｜，電流磁気効果はBM03「電気物性：電子伝導」をも見よ。磁気
｜ ｜ひずみ，磁区など及びランダム系についてはその項を見よ
｜ ｜
BM06050E｜酸化物結晶の磁性 ｜金属の酸素酸塩を含む
｜ ｜
BM06060P｜その他の無機化合物の磁性 ｜
｜ ｜
BM06070A｜有機化合物の磁性 ｜
｜ ｜
(BM0608)｜(ランダム系の磁性) ｜非晶質磁性体，スピンガラスを含む
｜ ｜
BM06081C｜ランダム系一般 ｜
｜ ｜
BM06082T｜金属のランダム磁性 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM06090W｜磁性流体 ｜
｜ ｜
(BM0610)｜(磁気異方性，磁気機械効果) ｜磁気ひずみなど。NA04040H「磁性材料」をも見よ
｜ ｜
BM06101B｜磁気異方性・磁気機械効果一 ｜
｜般 ｜
｜ ｜
BM06102S｜金属の磁気異方性・磁気機械 ｜
｜効果 ｜
｜ ｜
(BM0611)｜(磁区，磁化過程) ｜NA04040H「磁性材料」をも見よ
｜ ｜
BM06111M｜磁区・磁化過程一般 ｜
｜ ｜
BM06112D｜金属の磁区及び磁化過程 ｜
｜ ｜
｜ ｜
【BM07】｜【磁気共鳴，磁気緩和，Moes ｜溶液についてはBH「原子，分子」を見よ。高分子についてはCG
｜sbauer効果】 ｜02033O「高分子のスペクトル」をも見よ
｜ ｜
BM07010T｜磁気共鳴・磁気緩和一般 ｜
｜ ｜
｜ ｜
(BM0702)｜(電子常磁性共鳴) ｜常磁性緩和，音波ESRなど
｜ ｜
BM07021V｜電子スピン共鳴一般 ｜ESRスペクトロメータなど
｜ ｜
｜ ｜
BM07022M｜金属・半導体のEPR ｜伝導電子のESRなど
｜ ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM07023D｜その他の無機化合物のEPR ｜イオン結晶の不純物中心，色中心などの常磁性中心など
｜ ｜
｜ ｜
BM07024U｜有機化合物のEPR ｜ラジカルの常磁性中心など
｜ ｜
BM07025L｜錯体のEPR ｜
｜ ｜
BM07030P｜強磁性共鳴，反強磁性共鳴， ｜スピン波共鳴など
｜フェリ磁性共鳴 ｜
｜ ｜
(BM0704)｜(核磁気共鳴) ｜核磁気緩和，光自由誘導減衰，音波NMRを含む
｜ ｜
BM07041R｜NMR一般 ｜NMRスペクトロメータなど
｜ ｜
｜ ｜
BM07042I｜金属のNMR ｜
｜ ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM07043Z｜その他の無機化合物のNMR ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM07044Q｜有機化合物のNMR ｜
｜ ｜
BM07045H｜錯体のNMR ｜
｜ ｜
(BM0705)｜(核四重極共鳴) ｜【’87～∥’86まではBM07050L】
｜ ｜
BM07051C｜一般・無機化合物の核四重極 ｜【’87～】
｜共鳴スペクトル ｜
｜ ｜
BM07052T｜有機化合物・錯体の核四重極 ｜【’87～】
｜共鳴スペクトル ｜
｜ ｜
BM07060W｜ミュー粒子スピン回転 ｜ミューSRスペクトロメータなど
｜ ｜
(BM0707)｜(二重共鳴及びその他の磁気 ｜
｜共鳴) ｜
｜ ｜
BM07071Y｜二重共鳴一般 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM07072P｜電子核二重共鳴 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM07073G｜マイクロ波光二重共鳴 ｜光検波ESRなど
｜ ｜
｜ ｜
BM07074X｜その他の二重共鳴 ｜ラジオ波光二重共鳴など
｜ ｜
｜ ｜
(BM0708)｜(Moessbauer効果) ｜
｜ ｜
BM07081J｜Moessbauer効果一般 ｜Moessbauer効果に関する実験技術など
｜ ｜
｜ ｜
BM07082A｜金属のMoessbauer効果 ｜
｜ ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM07083R｜その他の無機化合物のMoessb ｜
｜auer効果 ｜
｜ ｜
BM07084I｜有機化合物のMoessbauer効果 ｜
｜ ｜
BM07085Z｜錯体のMoessbauer効果 ｜
｜ ｜
【BM08】｜【光物性】 ｜非線形光学はBD05000T「非線形光学」，材料の組成，加工及び
｜ ｜処理に伴う光学的性質についてはWB「金属学」及びY「化学工
｜ ｜業」をも見よ。溶液についてはBH「原子，分子」，光伝導，光
｜ ｜起電力はBM03050J「光伝導，光起電力」，光電子放出はBM09「
｜ ｜電子放出，イオン放出」を見よ
｜ ｜
BM08010A｜光物性一般 ｜光学定数，屈折率，消衰係数，反射率，透過率や光吸収の一般
｜ ｜理論，偏光性，複屈折など。磁気円二色性や磁気複屈折はBM08
｜ ｜020L「電気光学効果，磁気光学効果」を見よ
｜ ｜
BM08020L｜電気光学効果，磁気光学効果 ｜Kerr効果，Pockels効果，Stark効果，電界反射，エレクトロク
｜ ｜ロミズムやFaraday効果，Zeeman効果，磁気反射，磁気円二色
｜ ｜性，磁気複屈折など
｜ ｜
BM08030W｜音響光学効果 ｜光弾性を含む
｜ ｜
｜ ｜
BM08040H｜その他の光学的効果 ｜フォトクロミズム，フォトリフレクタンス，熱光学効果，サー
｜ ｜モクロミズム，光熱効果，光音響効果，光構造変化，光劣化な
｜ ｜ど
｜ ｜
BM08050S｜光学スペクトル及び光散乱一 ｜スペクトル線形の一般理論など
｜般 ｜
｜ ｜
(BM0806)｜(赤外スペクトル及びRaman散 ｜遠赤外スペクトルを含む。ルミネセンスはBM0809「ルミネセン
｜乱，Ramanスペクトル) ｜ス」を見よ
｜ ｜
BM08061U｜赤外スペクトル及びRaman散 ｜
｜乱，Ramanスペクトル一般 ｜
｜ ｜
BM08062L｜金属の赤外スペクトル及びRa ｜
｜man散乱，Ramanスペクトル ｜
｜ ｜
BM08063C｜無機化合物の赤外スペクトル ｜金属はBM08062L「金属の赤外スペクトル及びRaman散乱，Raman
｜及びRaman散乱，Ramanスペク ｜スペクトル」を，半導体はBM08066B「半導体の赤外スペクトル
｜トル ｜及びRaman散乱，Ramanスペクトル」を見よ
｜ ｜
BM08064T｜有機化合物の赤外スペクトル ｜有機半導体を含む
｜及びRaman散乱，Ramanスペク ｜
｜トル ｜
｜ ｜
BM08065K｜錯体の赤外スペクトル及びRa ｜
｜man散乱，Ramanスペクトル ｜
｜ ｜
BM08066B｜半導体の赤外スペクトル及び ｜有機半導体はBM08064T「有機化合物の赤外スペクトル及びRama
｜Raman散乱・Ramanスペクトル ｜n散乱・Ramanスペクトル」を見よ【’93～】
｜ ｜
BM08070O｜Rayleigh散乱とBrillouin散 ｜
｜乱 ｜
｜ ｜
(BM0808)｜(可視・紫外スペクトル) ｜真空紫外スペクトルを含む。ルミネセンスはBM0809「ルミネセ
｜ ｜ンス」を見よ
｜ ｜
BM08081Q｜可視・紫外スペクトル一般 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM08082H｜金属の可視・紫外スペクトル ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM08083Y｜半導体の可視・紫外スペクト ｜有機半導体はBM08085G「有機化合物の可視・紫外スペクトル」
｜ル ｜を見よ
｜ ｜
BM08084P｜無機化合物の可視・紫外スペ ｜金属はBM08082H「金属の可視・紫外スペクトル」を，半導体は
｜クトル ｜BM08083Y「半導体の可視・紫外スペクトル」を見よ
｜ ｜
BM08085G｜有機化合物の可視・紫外スペ ｜有機半導体を含む
｜クトル ｜
｜ ｜
BM08086X｜錯体の可視・紫外スペクトル ｜
｜ ｜
｜ ｜
(BM0809)｜(ルミネセンス) ｜各種のルミネセンス及びそのスペクトルや放射再結合，無放射
｜ ｜遷移など。エレクトロルミネセンスについてはNC03082G「発光
｜ ｜素子」をも見よ
｜ ｜
BM08091B｜ルミネセンス一般 ｜
｜ ｜
｜ ｜
BM08092S｜半導体のルミネセンス ｜有機半導体はBM08094A「有機化合物のルミネセンス」を見よ
｜ ｜
｜ ｜
BM08093J｜無機化合物のルミネセンス ｜半導体はBM08092S「半導体のルミネセンス」を見よ
｜ ｜
｜ ｜
BM08094A｜有機化合物のルミネセンス ｜有機半導体を含む
｜ ｜
｜ ｜
BM08095R｜錯体のルミネセンス ｜
｜ ｜
｜ ｜
(BM0810)｜(X線スペクトル) ｜【’87～∥’86まではBM08100Y】
｜ ｜
BM08101P｜X線スペクトル一般 ｜無機化合物のX線スペクトルを含む【’87～】
｜ ｜
｜ ｜
BM08102G｜有機化合物・錯体のX線スペ ｜【’87～】
｜クトル ｜
｜ ｜
BM08110J｜その他の光物性 ｜マイクロ波スペクトルを含む。マイクロ波，ラジオ波の磁気共
｜ ｜鳴スペクトルについてはBM07「磁気共鳴，磁気緩和，Moessbau
｜ ｜er効果」を見よ
｜ ｜
【BM09】｜【電子放出，イオン放出】 ｜
｜ ｜
BM09010H｜電子放出一般 ｜仕事関数など
｜ ｜
BM09020S｜熱電子放出，電界放出 ｜電界イオン化など
｜ ｜
BM09030D｜光電子放出 ｜
｜ ｜
BM09040O｜Auger電子放出，二次電子放 ｜
｜出 ｜
｜ ｜
BM09050Z｜その他の電子放出 ｜エクゾ電子放出など
｜ ｜
BM09060K｜電子分光スペクトル ｜光電子スペクトル，X線光電子スペクトル，Augerスペクトル，
｜ ｜電子衝撃スペクトル，電子エネルギー損失スペクトルなど
｜ ｜
BM09070V｜イオン放出 ｜二次イオン放出など